三星宣布成功完成 8 纳米 5G 射频解决方案开发：功率效率提高 35%？

三星官方网站今天宣布，该公司已经推出了基于《巴纳米技术》的最新射频技术。

三星表示，这项先进的工艺技术有望提供专门支持多通道和多天线芯片设计的5G通信芯片解决方案。三星的8纳米射频平台将该公司在5G半导体市场的领导地位从Sub-6GHz频带扩展到毫米波。

三星的 8 纳米射频工艺技术是对目前已经广泛使用的包括 28 纳米和 14 纳开发者_C百科米在内的射频相关解决方案的最新补充。自 2017 年以来，三星为高端智能手机出货了超过 5 亿颗移动终端射频芯片。

通过卓越的创新和工艺制造，我们加强了新一代无线通信产品。三星电子代理技术开发团队负责人Hyung，Jin，Lee。伴随着5G毫米波的扩展，在紧凑型移动端上寻求更长的电池寿命和优良的信号质量的顾客，三星8纳射频将是一个很好的解决方案。

随着向先进节点的不断扩展，数字电路在性能、功耗、面积（PPA）方面得到了显著改善，而模拟U/A射频模块由于退化寄生效应（如窄线宽带来的阻力增加）没有得到这样的改善。因此，大多数通信芯片倾向于射频特性退化，如接收频率放大、性能老化和功耗增加。

为了克服模拟/射频扩展的挑战，三星开发了独特的8纳米射频专用体系结构，被称为RFextremeFET专用体系，显着改善射频特性，同时降低功耗。与14纳米射频相比，三星的RFeFET补充了数字PPA的扩展，同时恢复了模拟/射频的扩展，实现了高性能5G的扩展平台。

三星在新闻稿上写道，三星的工艺优化最大限度地提高了通道的移动性，同时最大限度地减少了寄生效果。由于RFeFET的性能大幅度提高，射频芯片的晶体管总数和模拟，可以减少射频块的面积。与14纳米射频相比，由于采用了RFeFET架构的创新，三星的8纳米射频技术提高了35%的效率，射频芯片面积减少了35%。