MLC与TLC同根生，Intel 3D NAND技术大揭秘？

目前，各个闪存厂商都在朝着3D NAND技术发展。我们之前报道过一些关于英特尔3D NAND的信息。昨天，也就是5月14日，我们作为媒体受邀参加了英特尔Richmax举办的3D Nand技术研讨会。会上，英特尔技术人员向与会人员讲解了英特尔3D NAND的计划和一些技术细节。

会议在深圳JW万豪酒店举行。相当多的行业朋友，来自英特尔美国的产品工程经理Todd Myers和NAND产品事务开发工程师Todd Myers向在场的朋友们讲述了3D NAND的所有细节。

本次会议的组织者Richmax Hong Kong应星科技是英特尔FLASH在中国的总代理，也是超高速超高速的母公司。

3D NAND的优势自然是可以提供比目前闪存更多的功能存储空间，存储密度可以是目前闪存的三倍以上。未来甚至可以做出10TB以上的2.5英寸SSD。另一个重要特征是成本(单位容量)将低于现有技术，可靠性和性能将更好，因为不需要升级制造工艺和减少电池单元来增加容量密度。

英特尔在当前的2D NAND时代没有做TLC闪存，但在即将到来的3D NAND时代，英特尔将推出自己的TLC闪存。另一个很重要的是TLC和MLC其实是同一个芯片，类似于三星的3D NAND。英特尔客户可以根据自己的需求选择闪存在MLC模式还是TLC模式下工作。在MLC模式下，每个芯片的容量为256Gb，而在TLC模式下，每个芯片的容量为384Gb。

目前，英特尔开发者_如何学C3D NAND将采用32层堆栈，其电荷存储容量相当于当年的50nm节点产品。第二代和第三代产品仍将保持这样的充电能力，以确保产品的可靠性。会上没有明确说明3D NAND采用的是哪种工艺，只使用了50纳米到34纳米之间的工艺。

Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC产品的代号采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，Page Size 16k，采用4平面设计，会带来额外的延迟，但同时也提供了普通2平面设计闪存两倍的读写吞吐量，闪存寿命为3000p/e。

B0KB则是TLC产品的代号,因为它们是同一个芯片，很多东西都和L06B一样。当然容量、性能、寿命肯定是不一样的。芯片尺寸为48 GB，闪存寿命为1500 p/e，因为是TLC，所以ECC标准更高LDPC。

132球BGA封装将用于英特尔3D NAND，L06B的范围可以从256Gb(32GB)到4096Gb(512GB)。详情请参考上表，不过这款闪存的CE号是可以调整的，这样更容易做出容量更大的SSD。

闪存有三种工作模式

MLC有两种编程模式：2遍和1遍。默认编程模式是2遍。下页数据第一次写入NAND阵列，上页数据第二次写入。

1遍编程模式当然意味着下页和上页的数据在一次编程中写入NAND阵列，可以节省15%的编程时间。然而，如果使用这种算法，闪存的寿命将比两步编程模式中的寿命短，这没有详细说明。

TLC的编程算法要复杂得多。第一步类似于MLC的一步编程模式，即下页和上页直接写入NAND阵列，第二步写入额外一页的数据。由于算法的复杂性，在第二次编程期间需要对数据进行ECC检查。

上述闪存的2通MLC、1通MLC和TLC的工作模式可以通过使用指令随时切换，这将使制造商对闪存的使用非常灵活。当然，产品的用户不能以这种方式改变工作模式。

至于英特尔的3D NAND何时供货，我们将在今年第三季度中期向所有合作伙伴提供测试样品，包括MLC/TLC，并将在2015年第四季度末大规模供货。产品的定价将根据当时的市场情况而定。