Intel正在研发10TB容量的QLC闪存硬盘？

昨天我们说TLC闪存今年Q4将占据45%的市场份额，成为主流选择。虽然TLC的性能和可靠性通过技术升级有了很大的提升，但是从大家的反应来看，对TLC闪存的心理接受度并不高。然而，TLC闪存离NAND开发的终点还很远。也许用不了多久，我们就能看到容量更大但问题更多的QLC闪存。英特尔已经在开发容量可能超过10TB的QLC闪存硬盘。

目前NAND闪存有MLC和TLC两种，未来还会出现QLC闪存。

我们说的TLC闪存是一个3位MLC，每个Cell单元可以存储3个数据，状态为23=8，而QLC是一个4位MLC，每开发者_Go百科个Cell单元可以存储4个数据，状态为24=16。因此，QLC闪存容量更大，成本更低，但4位数据带来的挑战也很大。更精确的电压控制和更复杂的干扰将影响QLC闪存的性能和可靠性。

目前，QLC闪存普遍停留在研究阶段，商业化生产尚早。然而，QLC的大容量和低成本对制造商来说是不可抗拒的诱惑。英特尔和美光最近正式发布了3D闪存技术，3D闪存是开发TLC和QLC闪存的好机会。传统的平面NAND闪存在提高容量和可靠性方面越来越弱，但3D堆栈技术提高了闪存的可靠性和速度。

目前Intel和Micron的3D闪存主要是256Gb核心的MLC闪存，今年秋季将推出384Gb核心容量的TLC闪存，QLC闪存也在研发中。虽然目前还没有明确的时间表，但QLC闪存迟早会出现在我们的视野中，届时我们可以在2.5英寸硬盘上轻松实现10TB的容量。