三星公布第二代3D V？

三星去年推出了第二代3D V-NAND技术，并将其应用于850 Pro/EVO固态硬盘。近日，在ISSCC 2开发者_JAVA百科015研讨会上，三星公布了第二代3D V-NAND的部分细节，并对部分优化部分进行了说明。

Pc详细介绍了这一点。从上图可以看出，第一代和第二代3D V-NAND在存储密度上有很大的差异。第一代采用24层堆叠的MLC设计，128Gbit容量所需面积为133mm2，而第二代采用TLC设计，32层堆叠，存储密度大幅提升，128 gbit占用面积为68.9mm2，第一代存储密度为0.93Gb/mm2，第二代上升到1.86Gb/mm2，增长了2.25倍，相对来说还是比较惊人的。

两代3D V-NAND存储密度的比较。

当传统的2D闪存达到一定密度时，每个电源中存储的电荷量会减少，相邻的存储单元也会产生电荷干扰。为了避免这些负面影响，传统的薄层色谱编程将分为三个阶段，以便在编程过程中更准确地控制电荷量。

而3D V-NAND没有传统2D闪存的问题，不需要多级控制。三星通过HSP技术将多级编程过程集成为一体，大大减少了闪存编程时间。

编程时间缩短一半，写入功耗可降低40%。

内存核心三维结构(中)，字线电阻检测(左)。

闪存的结构发生了变化，导致字线近端和远端的电阻有一些差异，这将导致读取放大器和控制解码之间的滞后。为了解决这个问题，检测电阻，并针对不同的字线参数给出不同的电压，从而有效地减少了建立时间。

数据总线的架构图可以实现1Gbps的高速数据传输速度。

读写方面，会提前读取4G数据，同时会进行2路交错动作，加速数据传输。另外，现在数据位宽从32Bit扩展到64Bit，然后根据传输速度，芯片内部的稳压器进行电流调节和电压波动抑制，降低了信号抖动，1Gbps以下的抖动从420ps降低到280ps，实现了1Gbps的高速数据传输速度。