TSMC启用10nm节点EUV工艺，剑指2016年底？

半导体行业多年来一直在等待EUV的光刻设备。荷兰ASML公司正在运输EUV设备，预计EUV进程将于2016年在10纳米节点正式启动。然而，与英特尔率先使用EUV技术的传言不同，TSMCTSMC是部署EUV技术最积极的一位，他们将于2016年底在10纳米节点上启动EUV技术。

在近日举行的投资者大会上，ASML公布了EUV设备的最新进展和未来预期。他们提到，TSMC已经购买了两台大规模生产的NXE:3300B光刻设备，将于2015年交付，而之前交付的两台设备将升级到最新的NEX:3350B级别。

根据计划，TSMC将于2016年底在10纳米工艺节点正式启动EUV工艺。

有传言称，英特尔是第一家启用EUV技术的公司。毕竟他们技术实力最强，是ASML的大股东之一。然而，英特尔似乎厌倦了EUV的技术，或者可能是他们的技术实力太强了。不管怎么说，他们之前表示，即使没有EUV技术，他们也知道如何制造10纳米以上的晶体管，所以英特尔不会在10纳米节点上使用EUV技术，他们预计2018年不会在7纳米技术上应用EUV技术。

目前ASML公司EUV光刻机设备为NXE:3300B，源功率已提升至80W，日生产能力500片。下一步预计会提到125W的源功率，产能提升到1000片/天。2016年正式量产模式将源功率提升至250瓦，产能提升至1500片/天。

对于未来的预测，ASML认为逻辑电路最早将采用EUV技术，2016年将在10纳米节点进行量产。预计NAND闪存将于2019年开始使用EUV技术，DRAM和MPU产品将于2018年进入EUV时代，而EUV技术将帮助厂商缩小芯片面积，开发者_如何学C简化工艺。

如果一切顺利，ASML预计到2020年将发运50-60台EUV设备，收入为120亿美元。